薄膜電阻“率”及計算公式詳情解析


原標題:薄膜電阻率
薄膜電阻是一種常見的電阻產品,在眾多電子設備中,薄膜電阻的使用是非常廣泛。而薄膜電阻的電阻率是許多應用非常關注的技術指標,薄膜電阻率通常也稱為電阻值。在很多半導體的電阻值取決于導體的使用材料性質及幾何尺寸。截面積一定的半導體休息時,其電阻值與長度成正比關系,與截面積成反比。

對于薄膜材料,由于厚度非常小,很難準確測量厚度,導體的電阻率不再是常數。因為此時薄膜不再是一個致密完整的導體,薄膜具有一定的不連續性和不均勻性。在這種情況下,導體的電阻率與厚度密切相關,通常膜層越薄,電阻率也越大。因此,薄膜材料一般不使用電阻率,而是使用薄膜電阻來表現薄膜的特性。
薄膜電阻相當于長寬相等的方形薄膜,當電流從一側流向另一側英寸時,有方形電阻的名稱。四探針法可以直接在薄膜上測量薄膜電阻。四個探針在一條直線上,間距相等,約為1亳米。外面的兩個探針是電流探針,里面的兩個是電壓探針。
在許多情況下,當我們用于技術電阻率與半導體截面積的關系時,通常使用R=/s(歐洲)中的l-導體長度,單位為厘米,S-導體截面積,單位為厘米2,-pl/s(歐洲)中的l-導體長度,單位為歐洲厘米。
另外,電阻率是表現材料導電性能的重要參數,電阻所使用的材料一般應選擇電阻率高、性能穩定的材料。純金屬材料為良導體,電阻率低,通常為10-51-8歐米左右,溫度系數大,因此純金屬不適合制造電阻。由兩種或幾種電阻合金制成的電阻率較高,約10_4歐米,溫度系數較低,可用于制造性能優異的電阻。
另外,非線繞組電氣設備采用分散性導體(例如炭黑、石墨)和薄膜材料(例如熱分解碳薄膜、金屬薄膜),采用分散性導體(例如炭黑、石墨)和薄膜材料(例如熱分解碳薄膜、金屬薄膜)。半導體材料的電阻率很高,但半導體休息在外部光、熱等物理因素的作用下敏感,一般不適合制造性能穩定的電阻,適合制造敏感的電阻。
相關資料:
薄膜電阻率計算公式如下
薄膜電阻用歐姆/平方來計量,可被應用于將薄膜考慮為一個二維實體的二維系統。它與三維系統下所用的電阻率的概念對等。當使用到薄膜電阻一詞的時候,電流必須沿著薄膜平面流動,而非與其垂直。
對于常規三維導體,電阻可被寫為

其中ρ代表電阻率,A代表截面面積而L代表長度。截面面積可被分解為寬度W和薄膜厚度t。
當把電阻率和厚度放到一起時,電阻可被記為

Rs即為薄膜電阻。因為它被一個無量綱量所乘,所以單位依然是歐姆。而歐姆/平方這一單位被使用是因為它給出了以歐姆為單位的從一個平方區域流向相對平方區域的電阻,無論平方區域的大小如何。對于正方情形,L = W。因此,對任意平方大小,有R = Rs。

以上內容主要介紹薄膜電阻率及薄膜電阻率計算公式。
深圳市順??萍加邢薰臼且患覍I的保險絲、貼片保險絲、合金電阻、貼片電阻、貼片電容、貼片電感、一體成型電感、TVS、ESD、 PPTC、GDT、TSS、MOS、LDO等保護器件、靜電管代理品牌有華德、薩瑞微、碩凱、天二、國巨、厚聲、旺詮、TDK、大毅、光頡、威世、ELLON、EVER、OHMS、MURATA、TAIYO、SUNLROP、TDK、LRC、ITE、SAMSUNG,專業的銷售團隊以及海量現貨庫存,為客戶提供更優質的服務,歡迎咨詢合作。
標簽:薄膜電阻率、薄膜電阻率計算公式、薄膜電阻率單位
薄膜電阻是一種常見的電阻產品,在眾多電子設備中,薄膜電阻的使用是非常廣泛。而薄膜電阻的電阻率是許多應用非常關注的技術指標,薄膜電阻率通常也稱為電阻值。在很多半導體的電阻值取決于導體的使用材料性質及幾何尺寸。截面積一定的半導體休息時,其電阻值與長度成正比關系,與截面積成反比。

對于薄膜材料,由于厚度非常小,很難準確測量厚度,導體的電阻率不再是常數。因為此時薄膜不再是一個致密完整的導體,薄膜具有一定的不連續性和不均勻性。在這種情況下,導體的電阻率與厚度密切相關,通常膜層越薄,電阻率也越大。因此,薄膜材料一般不使用電阻率,而是使用薄膜電阻來表現薄膜的特性。
薄膜電阻相當于長寬相等的方形薄膜,當電流從一側流向另一側英寸時,有方形電阻的名稱。四探針法可以直接在薄膜上測量薄膜電阻。四個探針在一條直線上,間距相等,約為1亳米。外面的兩個探針是電流探針,里面的兩個是電壓探針。
在許多情況下,當我們用于技術電阻率與半導體截面積的關系時,通常使用R=/s(歐洲)中的l-導體長度,單位為厘米,S-導體截面積,單位為厘米2,-pl/s(歐洲)中的l-導體長度,單位為歐洲厘米。
另外,電阻率是表現材料導電性能的重要參數,電阻所使用的材料一般應選擇電阻率高、性能穩定的材料。純金屬材料為良導體,電阻率低,通常為10-51-8歐米左右,溫度系數大,因此純金屬不適合制造電阻。由兩種或幾種電阻合金制成的電阻率較高,約10_4歐米,溫度系數較低,可用于制造性能優異的電阻。
另外,非線繞組電氣設備采用分散性導體(例如炭黑、石墨)和薄膜材料(例如熱分解碳薄膜、金屬薄膜),采用分散性導體(例如炭黑、石墨)和薄膜材料(例如熱分解碳薄膜、金屬薄膜)。半導體材料的電阻率很高,但半導體休息在外部光、熱等物理因素的作用下敏感,一般不適合制造性能穩定的電阻,適合制造敏感的電阻。
相關資料:
薄膜電阻率計算公式如下
薄膜電阻用歐姆/平方來計量,可被應用于將薄膜考慮為一個二維實體的二維系統。它與三維系統下所用的電阻率的概念對等。當使用到薄膜電阻一詞的時候,電流必須沿著薄膜平面流動,而非與其垂直。
對于常規三維導體,電阻可被寫為

其中ρ代表電阻率,A代表截面面積而L代表長度。截面面積可被分解為寬度W和薄膜厚度t。
當把電阻率和厚度放到一起時,電阻可被記為

Rs即為薄膜電阻。因為它被一個無量綱量所乘,所以單位依然是歐姆。而歐姆/平方這一單位被使用是因為它給出了以歐姆為單位的從一個平方區域流向相對平方區域的電阻,無論平方區域的大小如何。對于正方情形,L = W。因此,對任意平方大小,有R = Rs。

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